Name: IPB80N06S405ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB80N06S405ATMA2TR-ND
Price: 2.8435 EUR
Availability: InStock

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IPB80N06S405ATMA2
Numéro de produit DigiKey	448-IPB80N06S405ATMA2TR-ND - Bande et bobine 448-IPB80N06S405ATMA2CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPB80N06S405ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB80N06S405ATMA2
Description	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 80 A (Tc) 107W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB80N06S405ATMA2 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 81 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6500 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 107W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,7mohms à 80A, 10V	Numéro de produit de base IPB80N
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 60µA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IXTA200N055T2	IXYS	532	IXTA200N055T2-ND	4,67000 €	Similaire
IXTA230N075T2-7	IXYS	0	IXTA230N075T2-7-ND	3,89747 €	Similaire

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