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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPB083N10N3GATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPB083N10N3GATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB083N10N3GATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB083N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPB083N10N3GATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 80 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPB083N10N3GATMA1 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 75µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 55 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3980 pF @ 50 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur PG-TO263-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,3mohms à 73A, 10V |
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| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB050N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | 27 | 448-IPB050N10NF2SATMA1CT-ND | 1,98000 € | Recommandation fabricant |
| IRF8010STRLPBF | Infineon Technologies | 1 815 | IRF8010STRLPBFCT-ND | 2,97000 € | Similaire |
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | 2 423 | IRFS4410ZTRLPBFCT-ND | 2,56000 € | Similaire |
| BUK768R1-100E,118 | Nexperia USA Inc. | 5 764 | 1727-1062-1-ND | 3,38000 € | Similaire |
| BUK969R3-100E,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-1064-2-ND | 1,10741 € | Similaire |
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