Name: STB100N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14527-2-ND
Price: 3.3638 EUR
Availability: InStock

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STB100N10F7
Numéro de produit DigiKey	497-14527-2-ND - Bande et bobine 497-14527-1-ND - Bande coupée (CT) 497-14527-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STB100N10F7
Description	MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 80 A (Tc) 150W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STB100N10F7 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA
Fabricant STMicroelectronics	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 61 nC @ 10 V
Série DeepGATE™, STripFET™ VII	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4369 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 150W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base STB100
Rds On (max.) à Id, Vgs 8mohms à 40A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (7)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
BUK768R1-100E,118	Nexperia USA Inc.	5 764	1727-1062-1-ND	3,38000 €	Similaire
IRFS4310ZTRLPBF	Infineon Technologies	8 854	IRFS4310ZTRLPBFCT-ND	2,63000 €	Similaire
IXFA130N10T2	IXYS	983	238-IXFA130N10T2-ND	5,76000 €	Similaire
IXFA180N10T2	IXYS	0	IXFA180N10T2-ND	7,15000 €	Similaire
IXTA130N10T	IXYS	353	238-IXTA130N10T-ND	5,11000 €	Similaire

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