Name: IMW65R033M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R033M2HXKSA1-ND
Price: 11.9427 EUR
Availability: InStock

Canal N 650 V 53 A (Tc) 194W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-40

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IMW65R033M2HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMW65R033M2HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMW65R033M2HXKSA1
Description	IMW65R033M2HXKSA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 53 A (Tc) 194W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-40
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMW65R033M2HXKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 30mohms à 27,9A, 20V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 5,7mA
Série CoolSiC™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 34 nC @ 18 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) +23V, -7V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1214 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 194W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 53 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO247-3-40
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V	Boîtier TO-247-3

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	9,87000 €	9,87 €
30	5,87733 €	176,32 €
120	5,00242 €	600,29 €
510	4,36175 €	2 224,49 €
1 020	4,35171 €	4 438,74 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.