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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IMW65R020M2HXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IMW65R020M2HXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMW65R020M2HXKSA1 |
Description | SILICON CARBIDE MOSFET |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 61 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 83 A (Tc) 273W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-40 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 9,5mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 57 nC @ 18 V |
Série | Vgs (max.) +23V, -7V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2038 pF @ 400 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 273W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-3-40 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 18mohms à 46,9A, 20V |
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Tous les prix sont en EUR
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 12,89000 € | 12,89 € |
| 30 | 7,86200 € | 235,86 € |
| 120 | 6,75917 € | 811,10 € |
| 510 | 6,16825 € | 3 145,81 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 12,89000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 15,59690 € |
