Name: BSZ16DN25NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND
Price: 2.8435 EUR
Availability: InStock

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BSZ16DN25NS3GATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND - Bande et bobine BSZ16DN25NS3GATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSZ16DN25NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ16DN25NS3GATMA1
Description	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 250 V 10,9 A (Tc) 62,5W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSZ16DN25NS3GATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 32µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 11.4 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 920 pF @ 100 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 62,5W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 250 V	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10,9 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base BSZ16DN25
Rds On (max.) à Id, Vgs 165mohms à 5,5A, 10V