Name: BSZ0909NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0909NSATMA1TR-ND
Price: 0.9438 EUR
Availability: InStock

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BSZ0909NSATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSZ0909NSATMA1TR-ND - Bande et bobine BSZ0909NSATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSZ0909NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ0909NSATMA1
Description	MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 34 V 9 A (Ta), 36 A (Tc) 2,1W (Ta), 25W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSZ0909NSATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1310 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,1W (Ta), 25W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 34 V	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9 A (Ta), 36 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base BSZ0909
Rds On (max.) à Id, Vgs 12mohms à 20A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDMC8882	onsemi	9 000	FDMC8882FSCT-ND	0,32030 €	Similaire
RJK03M5DNS-00#J5	Renesas Electronics Corporation	7 826	RJK03M5DNS-00#J5CT-ND	1,61000 €	Similaire

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