Name: 2EDL8123G3CXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-2EDL8123G3CXTMA1TR-ND
Price: 1.0285 EUR
Availability: InStock

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2EDL8123G3CXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-2EDL8123G3CXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-2EDL8123G3CXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-2EDL8123G3CXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	2EDL8123G3CXTMA1
Description	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10VFDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Haut potentiel et bas potentiel Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion PG-VSON-10-4
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Circuits intégrés Gestion de l'alimentation (PMIC) Circuits d'attaque de grille
Fabricant	Infineon Technologies
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Programmable DigiKey	Non vérifié
Configuration	Haut potentiel et bas potentiel
Type de canal	Indépendant
Nombre de circuits d'attaque	2
Type de grille	MOSFET (canal N)
Tension - Alimentation	8V ~ 17V
Tension logique - VIL, VIH	-
Courant - Sortie de crête (source, absorption)	3A, 5A
Type d'entrée	Sans inversion
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)	120 V
Temps de montée / descente (typ.)	45ns, 45ns
Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	10-VFDFN plot exposé
Boîtier fournisseur	PG-VSON-10-4
Numéro de produit de base	2EDL8123

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