Haut potentiel, bas potentiel Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion PG-TSNP-6-13
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1EDN7550UXTSA1

Numéro de produit DigiKey
448-1EDN7550UXTSA1TR-ND - Bande et bobine
448-1EDN7550UXTSA1CT-ND - Bande coupée (CT)
448-1EDN7550UXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
1EDN7550UXTSA1
Description
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6XFDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
99 semaines
Référence client
Description détaillée
Haut potentiel, bas potentiel Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion PG-TSNP-6-13
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
1EDN7550UXTSA1 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Tension - Alimentation
4,5V ~ 20V
Fabricant
Infineon Technologies
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
4A, 8A
Série
Type d'entrée
Sans inversion
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
200 V
Statut du composant
Actif
Temps de montée / descente (typ.)
6,5ns, 4,5ns
Programmable DigiKey
Non vérifié
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration
Haut potentiel, bas potentiel
Type de montage
Montage en surface
Type de canal
Simple
Boîtier
6-XFDFN
Nombre de circuits d'attaque
1
Boîtier fournisseur
PG-TSNP-6-13
Type de grille
FET GaN, MOSFET (canal N)
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Disponible sur commande
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Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
7 5000,32983 €2 473,72 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,32983 €
Prix unitaire avec TVA:0,39909 €