Name: 1EDN7512GXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1EDN7512GXTMA1TR-ND
Price: 0.8349 EUR
Availability: InStock

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1EDN7512GXTMA1
Numéro de produit DigiKey	1EDN7512GXTMA1TR-ND - Bande et bobine 1EDN7512GXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 1EDN7512GXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	1EDN7512GXTMA1
Description	IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	48 semaines
Référence client
Description détaillée	Bas potentiel Circuit d’attaque de porte IC Avec inversion, Sans inversion PG-WSON-6-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	1EDN7512GXTMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Circuits intégrés Gestion de l'alimentation (PMIC) Circuits d'attaque de grille	Tension - Alimentation 4,5V ~ 20V
Fabricant Infineon Technologies	Courant - Sortie de crête (source, absorption) 4A, 8A
Série EiceDRIVER™	Type d'entrée Avec inversion, Sans inversion
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice) 20 V
Statut du composant Actif	Temps de montée / descente (typ.) 6,5ns, 4,5ns
Programmable DigiKey Non vérifié	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration Bas potentiel	Type de montage Montage en surface
Type de canal Simple	Boîtier 6-WDFN plot exposé
Nombre de circuits d'attaque 1	Boîtier fournisseur PG-WSON-6-1
Type de grille FET GaN, MOSFET (canal N)	Numéro de produit de base 1EDN7512

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Documents et supports

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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Bande et bobine