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DMG7702SFG-13

Numéro de produit DigiKey
DMG7702SFG-13DITR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMG7702SFG-13
Description
MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 12 A (Ta) 890mW (Ta) Montage en surface POWERDI3333-8
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
12 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
10mohms à 13,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
14.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4310 pF @ 15 V
Fonction FET
Diode Schottky (substrat)
Dissipation de puissance (max.)
890mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
POWERDI3333-8
Boîtier
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMG7702
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