Name: RQ3E100BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E100BNTBTR-ND
Price: 0.7381 EUR
Availability: InStock

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RQ3E100BNTB
Numéro de produit DigiKey	RQ3E100BNTBTR-ND - Bande et bobine RQ3E100BNTBCT-ND - Bande coupée (CT) RQ3E100BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RQ3E100BNTB
Description	MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 10 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface 8-HSMT (3,2x3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RQ3E100BNTB Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA
Fabricant Rohm Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1100 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Ta)	Boîtier fournisseur 8-HSMT (3,2x3)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerVDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 10,4mohms à 10A, 10V	Numéro de produit de base RQ3E100

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Documents et supports

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