SCT2120AFC ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 1.253
Stückpreis : 5,23000 €
Datenblatt

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 1.684
Stückpreis : 22,21000 €
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 790
Stückpreis : 6,12000 €
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 569
Stückpreis : 4,61000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 9.801
Stückpreis : 2,33000 €
Datenblatt

Ähnlich


IXYS
Vorrätig: 298
Stückpreis : 5,15000 €
Datenblatt

Ähnlich


IXYS
Vorrätig: 4.978
Stückpreis : 5,45000 €
Datenblatt

Ähnlich


IXYS
Vorrätig: 76
Stückpreis : 5,03000 €
Datenblatt

Ähnlich


IXYS
Vorrätig: 255
Stückpreis : 5,81000 €
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : 4,22000 €
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : 4,73000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 349
Stückpreis : 4,08000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 260
Stückpreis : 6,47000 €
Datenblatt

Ähnlich


Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 23
Stückpreis : 4,09000 €
Datenblatt
N-Kanal 650 V 29 A (Tc) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 29 A (Tc) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2120AFC

DigiKey-Teilenr.
SCT2120AFC-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCT2120AFC
Beschreibung
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 29 A (Tc) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
156mOhm bei 10A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 3,3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1200 pF @ 500 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
165W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.