N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 72W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
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IPP60R180P7XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPP60R180P7XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP60R180P7XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 72W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP60R180P7XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 280µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
25 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1081 pF @ 400 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
72W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 5,6A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 9.520
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,65000 €2,65 €
501,31280 €65,64 €
1001,18310 €118,31 €
5000,95566 €477,83 €
1.0000,88258 €882,58 €
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5.0000,75472 €3.773,60 €
10.0000,74738 €7.473,80 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:3,20650 €