N-Kanal 650 V 25 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
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IPAN60R125PFD7SXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPAN60R125PFD7SXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPAN60R125PFD7SXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 25A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 25 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPAN60R125PFD7SXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 390µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
36 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1503 pF @ 400 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
32W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-FP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
125mOhm bei 7,8A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 6.981
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,92000 €2,92 €
501,46320 €73,16 €
1001,32120 €132,12 €
5001,07214 €536,07 €
1.0000,99212 €992,12 €
2.0000,92486 €1.849,72 €
5.0000,85702 €4.285,10 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:2,92000 €
Stückpreis mit MwSt.:3,53320 €