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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHP21N65EF-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHP21N65EF-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHP21N65EF-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 26 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 106 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2322 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 208W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 11A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Ersatzartikel (11)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | 4,74000 € | Ähnlich |
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Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 5,02000 € | 5,02 € |
| 10 | 3,35000 € | 33,50 € |
| 100 | 2,40200 € | 240,20 € |
| 500 | 1,99756 € | 998,78 € |
| 1.000 | 1,86775 € | 1.867,75 € |
| 2.000 | 1,77842 € | 3.556,84 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 5,02000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 6,07420 € |
