N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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STP20N65M5

DigiKey-Teilenr.
497-13538-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP20N65M5
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP20N65M5 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
45 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1345 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 9A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,63000 €3,63 €
501,84640 €92,32 €
1001,67400 €167,40 €
5001,37176 €685,88 €
1.0001,27471 €1.274,71 €
2.0001,19312 €2.386,24 €
5.0001,14673 €5.733,65 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:4,39230 €