N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 307W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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R6530KNX3C16

DigiKey-Teilenr.
846-R6530KNX3C16-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
R6530KNX3C16
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 307W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 960µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
56 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2350 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
307W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
140mOhm bei 14,5A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
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