R6014YNX3C16
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R6530KNX3C16

cms-digikey-product-number
846-R6530KNX3C16-ND
cms-manufacturer
Rohm Semiconductor
cms-manufacturer-product-number
R6530KNX3C16
cms-description
MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB
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21 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description
N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 307W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
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cms-description
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cms-category
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
140mOhm bei 14,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 960µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2350 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
307W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
R6530
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Stange
cms-quantityStückpreis cms-ext-price
15,28000 €5,28 €
503,13960 €156,98 €
1002,85920 €285,92 €
5002,31406 €1.157,03 €
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