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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


Vishay Siliconix
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Stückpreis : 3,55000 €
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Vorrätig: 0
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Datenblatt
N-Kanal 600 V 21 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHP21N60EF-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHP21N60EF-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP21N60EF-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 21 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHP21N60EF-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
84 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2030 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
176mOhm bei 11A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (12)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
SIHP21N60EF-BE3Vishay Siliconix0742-SIHP21N60EF-BE3-ND3,55000 €Direkter Ersatz
AOT25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1514-5-ND2,22766 ۀhnlich
FCP190N60onsemi0FCP190N60-ND0,00000 ۀhnlich
IPP60R180C7XKSA1Infineon Technologies37IPP60R180C7XKSA1-ND3,61000 ۀhnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,49000 €4,49 €
502,32560 €116,28 €
1002,11710 €211,71 €
5001,75168 €875,84 €
1.0001,63434 €1.634,34 €
2.0001,53575 €3.071,50 €
5.0001,52663 €7.633,15 €
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