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Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,67000 €2,67
10 2,39800 €23,98
25 2,26720 €56,68
100 1,96520 €196,52
500 1,67292 €836,46
1.000 1,41089 €1.410,89

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Conditionnement alternatif
  • Bande et bobine  : 917-1078-2-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 10 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 1,37425 €
  • Digi-Reel®  : 917-1078-6-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 11 039 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
Référence Digi-Key 917-1078-1-ND
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Fabricant

EPC

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Référence fabricant EPC8009
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Description GANFET N-CH 65V 2.7A DIE
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Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Description détaillée

Canal N 65V 4 A (Ta) Montage en surface MATRICE

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Référence client
Documents et supports
Fiches techniques EPC8009
eGaN® FET Brief
Module(s) de formation sur le produit eGaN® FET Reliability
Bibliothèque de conceptions de référence EPC9029: 3.5A, 0 ~ 65V, Half H-Bridge
Assemblage/origine PCN Assembly Site 25/Jun/2021
Fiche technique HTML eGaN® FET Brief
EPC8009
Attributs des produits
Type Description Sélectionner tout
Catégories
Fabricant EPC
Série eGaN®
Conditionnement Bande coupée (CT) 
Statut de la pièce Actif
Type de FET Canal N
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss) 65V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V
Rds On (max.) à Id, Vgs 130mOhms à 500mA, 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 0,45nC @ 5V
Vgs (max.) +6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 52pF @ 32,5V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max.) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur MATRICE
Boîtier MATRICE
 
Classifications environnementales et d'exportation
Statut RoHS Conforme à RoHS 3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
À utiliser avec

EPC9067

BOARD DEV FOR EPC8009 65V EGAN F

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Ressources supplémentaires
Colis standard 1
Autres Noms 917-1078-1