Name: SUP60030E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUP60030E-GE3-ND
Price: 4.2229 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SUP60030E-GE3
Productnummer DigiKey	SUP60030E-GE3-ND
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SUP60030E-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Standaard levertijd fabrikant	33 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 80 V 120 A (Tc) 375W (Tc) Through-hole TO-220AB
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SUP60030E-GE3 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Bulk
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	80 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	120 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	7,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	3,4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	4V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	141 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	7910 pF @ 40 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	375W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Through-hole
Apparaatpakket leverancier	TO-220AB
Verpakking / doos	TO-220-3
Basisproductnummer	SUP60030