Name: SQJB80EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJB80EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.0328 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SQJB80EP-T1_GE3
Productnummer DigiKey	SQJB80EP-T1_GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SQJB80EP-T1_GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SQJB80EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SQJB80EP-T1_GE3
Beschrijving	MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Standaard levertijd fabrikant	37 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	MOSFET's - Arrays 80V 30 A (Tc) 48W Opbouwmontage PowerPAK® SO-8 dubbel
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SQJB80EP-T1_GE3 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's FET, MOSFET-arrays	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 32nC @ 10V
Fabrikant Vishay Siliconix	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 1400pF @ 25V
Serie TrenchFET®	Vermogen - max. 48W
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Status onderdeel Actief	Soort Automotive
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Kwalificatie AEC-Q101
Configuratie 2 N-kanaal (dubbel)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 80V	Verpakking / doos PowerPAK® SO-8 dubbel
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 30 A (Tc)	Apparaatpakket leverancier PowerPAK® SO-8 dubbel
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 19mOhm @ 8A, 10V	Basisproductnummer SQJB80
Vgs(th) (max.) bij Id 2,5V @ 250µA