Name: SISS23DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS23DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.6456 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SISS23DN-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SISS23DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SISS23DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SISS23DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SISS23DN-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Standaard levertijd fabrikant	38 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	P-kanaal 20 V 50 A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® 1212-8S
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SISS23DN-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 900mV @ 250µA
Fabr. Vishay Siliconix	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 300 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max.) ±8V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 8840 pF @ 15 V
Status onderdeel Actief	Vermogensdissipatie (max.) 4,8W (Ta), 57W (Tc)
FET-type P-kanaal	Bedrijfstemperatuur -50°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 20 V	Apparaatpakket leverancier PowerPAK® 1212-8S
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 50 A (Tc)	Verpakking / doos PowerPAK® 1212-8S
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 4,5V	Basisproductnummer SISS23
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 4,5mOhm @ 20A, 4,5V