Name: SIS990DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS990DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.5851 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIS990DN-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SIS990DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIS990DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIS990DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIS990DN-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Standaard levertijd fabrikant	42 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	MOSFET's - Arrays 100V 12,1A 25W Opbouwmontage PowerPAK® 1212-8 dubbel
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SIS990DN-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's FET, MOSFET-arrays	Vgs(th) (max.) bij Id 4V @ 250µA
Fabrikant Vishay Siliconix	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 8nC @ 10V
Serie TrenchFET®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 250pF @ 50V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vermogen - max. 25W
Status onderdeel Actief	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Configuratie 2 N-kanaal (dubbel)	Verpakking / doos PowerPAK® 1212-8 dubbel
Spanning ontlading-bron (Vdss) 100V	Apparaatpakket leverancier PowerPAK® 1212-8 dubbel
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 12,1A	Basisproductnummer SIS990
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 85mOhm @ 8A, 10V