Name: SIRS5100DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS5100DP-T1-GE3TR-ND
Price: 4.4891 EUR
Availability: InStock

Hulp nodig?

Feedback sturen

Over DigiKey Marketplace Verkopen op DigiKey.com Carrière Sitemap Digitale oplossingen Newsroom

Hulp en Assistentie Bestelstatus Verzendkosten/-opties Retourzendingen en problemen met bestellingen

(+32) 53 33 80 45 eu.support@digikey.com

SIRS5100DP-T1-GE3
Productnummer DigiKey	742-SIRS5100DP-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SIRS5100DP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIRS5100DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIRS5100DP-T1-GE3
Beschrijving	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Standaard levertijd fabrikant	33 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 39A (Ta), 225A (Tc) 7,4W (Ta), 240W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® SO-8
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SIRS5100DP-T1-GE3 Modellen

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	100 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	39A (Ta), 225A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	7,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	2,5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	4V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	5400 pF @ 50 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	7,4W (Ta), 240W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PowerPAK® SO-8
Verpakking / doos	PowerPAK® SO-8
Basisproductnummer	SIRS5100

Eenheidsprijs zonder BTW:	3,71000 €
Eenheidsprijs met BTW:	4,48910 €

SIRS5100DP-T1-GE3