Name: SIR872DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR872DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.7147 EUR
Availability: InStock

Hulp nodig?

Feedback sturen

Over DigiKey Marketplace Verkopen op DigiKey.com Carrière Sitemap Digitale oplossingen Newsroom

Hulp en Assistentie Bestelstatus Verzendkosten/-opties Retourzendingen en problemen met bestellingen

(+32) 53 33 80 45 eu.support@digikey.com

SIR872DP-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SIR872DP-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIR872DP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIR872DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIR872DP-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Standaard levertijd fabrikant	33 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 150 V 53,7 A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® SO-8
Gegevensblad	Gegevensblad

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	150 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	53,7 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3,5V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	2130 pF @ 75 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	6,25W (Ta), 104W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PowerPAK® SO-8
Verpakking / doos	PowerPAK® SO-8
Basisproductnummer	SIR872

Eenheidsprijs zonder BTW:	3,07000 €
Eenheidsprijs met BTW:	3,71470 €

SIR872DP-T1-GE3