Name: SIR616DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR616DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.2264 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIR616DP-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SIR616DP-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIR616DP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIR616DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIR616DP-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Standaard levertijd fabrikant	42 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 200 V 20,2 A (Tc) 52W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® SO-8
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 4V @ 250µA
Fabr. Vishay Siliconix	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 28 nC @ 7.5 V
Serie ThunderFET®	Vgs (max.) ±20V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 1450 pF @ 100 V
Status onderdeel Actief	Vermogensdissipatie (max.) 52W (Tc)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 200 V	Apparaatpakket leverancier PowerPAK® SO-8
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 20,2 A (Tc)	Verpakking / doos PowerPAK® SO-8
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 7,5V, 10V	Basisproductnummer SIR616
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 50,5mOhm @ 10A, 10V