Name: SI7997DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7997DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.872 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SI7997DP-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SI7997DP-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI7997DP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI7997DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SI7997DP-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
Standaard levertijd fabrikant	22 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	MOSFET's - Arrays 30V 60A 46W Opbouwmontage PowerPAK® SO-8 dubbel
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SI7997DP-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's FET, MOSFET-arrays	Vgs(th) (max.) bij Id 2,2V @ 250µA
Fabrikant Vishay Siliconix	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 160nC @ 10V
Serie TrenchFET®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 6200pF @ 15V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vermogen - max. 46W
Status onderdeel Actief	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Configuratie 2 P-kanaal (dubbel)	Verpakking / doos PowerPAK® SO-8 dubbel
Spanning ontlading-bron (Vdss) 30V	Apparaatpakket leverancier PowerPAK® SO-8 dubbel
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 60A	Basisproductnummer SI7997
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 5,5mOhm @ 20A, 10V