Name: SI7252DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7252DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.1823 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SI7252DP-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SI7252DP-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI7252DP-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI7252DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SI7252DP-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Standaard levertijd fabrikant	17 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	MOSFET's - Arrays 100V 36,7A 46W Opbouwmontage PowerPAK® SO-8 dubbel
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SI7252DP-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's FET, MOSFET-arrays	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 18mOhm @ 15A, 10V
Fabrikant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bij Id 3,5V @ 250µA
Serie TrenchFET®	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 27nC @ 10V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 1170pF @ 50V
Status onderdeel Actief	Vermogen - max. 46W
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuratie 2 N-kanaal (dubbel)	Type montage Opbouwmontage
FET-kenmerk Logic level-poort	Verpakking / doos PowerPAK® SO-8 dubbel
Spanning ontlading-bron (Vdss) 100V	Apparaatpakket leverancier PowerPAK® SO-8 dubbel
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 36,7A	Basisproductnummer SI7252