Name: SI2333DDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2333DDS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.6897 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SI2333DDS-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SI2333DDS-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI2333DDS-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SI2333DDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SI2333DDS-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Standaard levertijd fabrikant	13 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	P-kanaal 12 V 6 A (Tc) 1,2W (Ta), 1,7W (Tc) Opbouwmontage SOT-23-3 (TO-236)
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SI2333DDS-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	P-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	12 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	6 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	1,5V, 4,5V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	28mOhm @ 5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bij Id	1V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	35 nC @ 8 V
Vgs (max.)	±8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1275 pF @ 6 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	1,2W (Ta), 1,7W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	SOT-23-3 (TO-236)
Verpakking / doos	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproductnummer	SI2333

Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Op voorraad: 32.760

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Voor alle Digi-Reel-bestellingen wordt een oprolkosten van 5,50 € in rekening gebracht.

Tape & Reel (TR)