Name: TPN2R805PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN2R805PL,L1QTR-ND
Price: 1.5004 EUR
Availability: OutOfStock

TPN2R805PL,L1Q is niet op voorraad en kan nabesteld worden.

Beschikbare alternatieven:

Similar

STLD125N4F6AG

STMicroelectronics

Op voorraad: 0

Eenheidsprijs : 2,94000 €

Gegevensblad

Alle alternatieven bekijken en vergelijken

N-kanaal 45 V 80 A (Tc) 2,67W (T+), 104 (T+) Opbouwmontage 8-TSON Advance (3,1x3,1)

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TPN2R805PL,L1Q
Productnummer DigiKey	264-TPN2R805PL,L1QTR-ND - Tape & Reel (TR) 264-TPN2R805PL,L1QCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPN2R805PL,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Toshiba Semiconductor and Storage
Productnummer fabrikant	TPN2R805PL,L1Q
Beschrijving	MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Standaard levertijd fabrikant	24 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 45 V 80 A (Tc) 2,67W (T+), 104 (T+) Opbouwmontage 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	TPN2R805PL,L1Q Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 2,4V @ 300µA
Fabr. Toshiba Semiconductor and Storage	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 39 nC @ 10 V
Serie U-MOSIX-H	Vgs (max.) ±20V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 3200 pF @ 22.5 V
Status onderdeel Actief	Vermogensdissipatie (max.) 2,67W (T+), 104 (T+)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur 175°C
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 45 V	Apparaatpakket leverancier 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 80 A (Tc)	Verpakking / doos 8-PowerVDFN
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Basisproductnummer TPN2R805
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 2,8mOhm @ 40A, 10V