Name: TPN1200APL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN1200APLL1QTR-ND
Price: 1.3552 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanaal 100 V 40 A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Opbouwmontage 8-TSON Advance (3,1x3,1)

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TPN1200APL,L1Q
Productnummer DigiKey	264-TPN1200APLL1QTR-ND - Tape & Reel (TR) 264-TPN1200APLL1QCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPN1200APLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Toshiba Semiconductor and Storage
Productnummer fabrikant	TPN1200APL,L1Q
Beschrijving	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Standaard levertijd fabrikant	24 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 40 A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Opbouwmontage 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 11,5mOhm @ 20A, 10V
Fabr. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) bij Id 2,5V @ 300µA
Serie U-MOSIX-H	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 24 nC @ 10 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 1855 pF @ 50 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 630mW (Ta), 104W (Tc)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Bedrijfstemperatuur 175°C
Spanning ontlading-bron (Vdss) 100 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 40 A (Tc)	Apparaatpakket leverancier 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Verpakking / doos 8-PowerVDFN