Name: RQ3E080BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E080BNTBTR-ND
Price: 0.7139 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

RQ3E080BNTB
Productnummer DigiKey	RQ3E080BNTBTR-ND - Tape & Reel (TR) RQ3E080BNTBCT-ND - Cut Tape (CT) RQ3E080BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Rohm Semiconductor
Productnummer fabrikant	RQ3E080BNTB
Beschrijving	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Standaard levertijd fabrikant	16 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 30 V 8 A (Ta) 2W (Ta) Opbouwmontage 8-HSMT (3,2x3)
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	RQ3E080BNTB Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 2,5V @ 1mA
Fabr. Rohm Semiconductor	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 14.5 nC @ 10 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 660 pF @ 15 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 2W (Ta)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Bedrijfstemperatuur 150°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 30 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 8 A (Ta)	Apparaatpakket leverancier 8-HSMT (3,2x3)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Verpakking / doos 8-PowerVDFN
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 15,2mOhm @ 8A, 10V	Basisproductnummer RQ3E080

Fout in productinformatie melden

Documenten en media

Milieu- en exportclassificaties

Meer resources

Op voorraad: 8.823

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Voor alle Digi-Reel-bestellingen wordt een oprolkosten van 5,50 € in rekening gebracht.

Tape & Reel (TR)