BSM180D12P2E002
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.
BSM180D12P2E002
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

Productnummer DigiKey
846-BSM180D12P2E002-ND
Fabrikant
Rohm Semiconductor
Productnummer fabrikant
BSM180D12P2E002
Beschrijving
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Standaard levertijd fabrikant
22 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
MOSFET's - Arrays 1200V (1,2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) Chassismontage Module
Gegevensblad
 Gegevensblad
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabrikant
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpakking
Bulk
Status onderdeel
Actief
Technologie
Siliciumcarbide (SiC)
Configuratie
2 N-kanaal (halve brug)
FET-kenmerk
-
Spanning ontlading-bron (Vdss)
1200V (1,2kV)
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
204 A (Tc)
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
-
Vgs(th) (max.) bij Id
4V @ 35,2mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
-
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
18000pF @ 10V
Vermogen - max.
1360W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Chassismontage
Verpakking / doos
Module
Apparaatpakket leverancier
Module
Basisproductnummer
BSM180
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Op voorraad: 4
Controleer op extra binnenkomende voorraad
Aantal
Alle prijzen zijn in EUR
Bulk
Aantal Eenheidsprijs Ext Prijs
1584,29000 €584,29 €
Eenheidsprijs zonder BTW:584,29000 €
Eenheidsprijs met BTW:706,99090 €