NTHL1000N170M1 onsemi | Producten voor discrete halfgeleiders

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

NTHL1000N170M1
Productnummer DigiKey	5556-NTHL1000N170M1-ND
Fabrikant	onsemi
Productnummer fabrikant	NTHL1000N170M1
Beschrijving	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 1700 V 4,2 A (Tc) 48W Through-hole TO-247-3
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	onsemi
Serie	-
Verpakking	Buis
Status onderdeel	Verouderd
FET-type	N-kanaal
Technologie	SiCFET (siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	1700 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	4,2 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	1,43Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (max.) bij Id	4,3V @ 640µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	14 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+25V, -15V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	150 pF @ 1000 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	48W
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Through-hole
Apparaatpakket leverancier	TO-247-3
Verpakking / doos	TO-247-3