NTHL080N120SC1 onsemi | Producten voor discrete halfgeleiders

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

NTHL080N120SC1
Productnummer DigiKey	NTHL080N120SC1OS-ND
Fabrikant	onsemi
Productnummer fabrikant	NTHL080N120SC1
Beschrijving	SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 1200 V 44 A (Tc) 348W (Tc) Through-hole TO-247-3
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	NTHL080N120SC1 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	onsemi
Serie	-
Verpakking	Buis
Status onderdeel	Verouderd
FET-type	N-kanaal
Technologie	SiCFET (siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	1200 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	44 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	110mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (max.) bij Id	4,3V @ 5mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	56 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+25V, -15V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1670 pF @ 800 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	348W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Through-hole
Apparaatpakket leverancier	TO-247-3
Verpakking / doos	TO-247-3
Basisproductnummer	NTHL080