FDP20N50 is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

MFR Recommended


onsemi
Op voorraad: 785
Eenheidsprijs : 4,28000 €
Gegevensblad

Similar


onsemi
Op voorraad: 1.790
Eenheidsprijs : 5,37000 €
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 393
Eenheidsprijs : 2,30000 €
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 332
Eenheidsprijs : 1,42000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 995
Eenheidsprijs : 4,37000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 2.764
Eenheidsprijs : 5,04000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : 5,22000 €
Gegevensblad
N-kanaal 500 V 20 A (Tc) 250W (Tc) Through-hole TO-220-3
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

FDP20N50

Productnummer DigiKey
FDP20N50-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
FDP20N50
Beschrijving
MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 500 V 20 A (Tc) 250W (Tc) Through-hole TO-220-3
Gegevensblad
 Gegevensblad
EDA/CAD-modellen
FDP20N50 Modellen
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
500 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
230mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id
5V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
59.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
3120 pF @ 25 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
250W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
TO-220-3
Verpakking / doos
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.