


FDP039N08B-F102 | |
|---|---|
Productnummer DigiKey | FDP039N08B-F102-ND |
Fabrikant | |
Productnummer fabrikant | FDP039N08B-F102 |
Beschrijving | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 |
Standaard levertijd fabrikant | 32 weken |
Klantreferentie | |
Gedetailleerde beschrijving | N-kanaal 80 V 120 A (Tc) 214W (Tc) Through-hole TO-220-3 |
Gegevensblad | Gegevensblad |
EDA/CAD-modellen | FDP039N08B-F102 Modellen |
Categorie | Vgs(th) (max.) bij Id 4,5V @ 250µA |
Fabr. | Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 133 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max.) ±20V |
Verpakking Buis | Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 9450 pF @ 40 V |
Status onderdeel Actief | Vermogensdissipatie (max.) 214W (Tc) |
FET-type | Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologie | Type montage Through-hole |
Spanning ontlading-bron (Vdss) 80 V | Apparaatpakket leverancier TO-220-3 |
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C | Verpakking / doos |
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Basisproductnummer |
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 3,9mOhm @ 100A, 10V |
| Onderdeelnummer | Fabrikant | Beschikbare hoeveelheid | Productnummer DigiKey | Eenheidsprijs | Type vervangend product |
|---|---|---|---|---|---|
| TK65E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 236 | TK65E10N1S1X-ND | 3,86000 € | Similar |
| FDP039N08B-F102 | Rochester Electronics, LLC | 399 | 2156-FDP039N08B-F102ND-ND | 4,59800 € | Parametrisch equivalent |
| Aantal | Eenheidsprijs | Ext Prijs |
|---|---|---|
| 1 | 7,80000 € | 7,80 € |
| 10 | 5,34700 € | 53,47 € |
| 100 | 3,95650 € | 395,65 € |
| 800 | 3,49585 € | 2.796,68 € |
| Eenheidsprijs zonder BTW: | 7,80000 € |
|---|---|
| Eenheidsprijs met BTW: | 9,43800 € |

