NC1M120C75HTNG NovuSem | Producten voor discrete halfgeleiders

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

NC1M120C75HTNG
Productnummer DigiKey	3372-NC1M120C75HTNG-ND
Fabrikant	NovuSem
Productnummer fabrikant	NC1M120C75HTNG
Beschrijving	SiC MOSFET N 1200V 75mohm 47A 4
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 1200 V 47 A (Tc) 288W (Ta) Through-hole TO-247-4L
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	NovuSem
Serie	NC1M
Verpakking	Buis
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	SiCFET (siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	1200 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	47 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	75mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,8V @ 5mA
Vgs (max.)	+20V, -5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1450 pF @ 1000 V
Vermogensdissipatie (max.)	288W (Ta)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage	Through-hole
Apparaatpakket leverancier	TO-247-4L
Verpakking / doos	TO-247-4