Name: ISC015N04NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC015N04NM5ATMA1TR-ND
Price: 2.1538 EUR
Availability: InStock

ISC015N04NM5ATMA1
Productnummer DigiKey	448-ISC015N04NM5ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-ISC015N04NM5ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-ISC015N04NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	ISC015N04NM5ATMA1
Beschrijving	40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Standaard levertijd fabrikant	61 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 40 V 33A (Ta), 206A (Tc) 3W (Ta), 115W (Tc) Opbouwmontage PG-TDSON-8 FL
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	ISC015N04NM5ATMA1 Modellen

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	40 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	33A (Ta), 206A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	1,5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3,4V @ 60µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	67 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	4800 pF @ 20 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	3W (Ta), 115W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TDSON-8 FL
Verpakking / doos	8-PowerTDFN
Basisproductnummer	ISC015N

Eenheidsprijs zonder BTW:	1,78000 €
Eenheidsprijs met BTW:	2,15380 €

ISC015N04NM5ATMA1