Name: IQDH45N04LM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH45N04LM6SCATMA1TR-ND
Price: 5.1667 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanaal 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Opbouwmontage PG-WHSON-8-U02

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IQDH45N04LM6SCATMA1
Productnummer DigiKey	448-IQDH45N04LM6SCATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IQDH45N04LM6SCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQDH45N04LM6SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IQDH45N04LM6SCATMA1
Beschrijving	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standaard levertijd fabrikant	61 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Opbouwmontage PG-WHSON-8-U02
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IQDH45N04LM6SCATMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 0,49mOhm @ 50A, 10V
Fabr. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bij Id 2,3V @ 1,449mA
Serie OptiMOS™ 6	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 78 nC @ 4.5 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 12000 pF @ 20 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 3W (Ta), 333W (Tc)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 40 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 58A (Ta), 611A (Tc)	Apparaatpakket leverancier PG-WHSON-8-U02
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Verpakking / doos 8-PowerWDFN