Name: IQDH35N03LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH35N03LM5CGATMA1TR-ND
Price: 3.1581 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanaal 30 V 66A (Ta), 700A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Opbouwmontage PG-TTFN-9-U02

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IQDH35N03LM5CGATMA1
Productnummer DigiKey	448-IQDH35N03LM5CGATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IQDH35N03LM5CGATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQDH35N03LM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IQDH35N03LM5CGATMA1
Beschrijving	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Standaard levertijd fabrikant	61 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 30 V 66A (Ta), 700A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Opbouwmontage PG-TTFN-9-U02
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IQDH35N03LM5CGATMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 2V @ 1,46mA
Fabr. Infineon Technologies	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 197 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max.) ±20V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 18000 pF @ 15 V
Status onderdeel Actief	Vermogensdissipatie (max.) 2,5W (Ta), 278W (Tc)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 30 V	Apparaatpakket leverancier PG-TTFN-9-U02
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 66A (Ta), 700A (Tc)	Verpakking / doos 9-PowerTDFN
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Basisproductnummer IQDH35
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 0,35mOhm @ 50A, 10V