Name: IQDH29NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 4.9247 EUR
Availability: OutOfStock

N-kanaal 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Opbouwmontage PG-WHSON-8-U02

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IQDH29NE2LM5SCATMA1
Productnummer DigiKey	448-IQDH29NE2LM5SCATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IQDH29NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IQDH29NE2LM5SCATMA1
Beschrijving	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Standaard levertijd fabrikant	61 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) Opbouwmontage PG-WHSON-8-U02
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IQDH29NE2LM5SCATMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 0,29mOhm @ 50A, 10V
Fabr. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bij Id 2V @ 1,448mA
Serie OptiMOS™ 5	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 110 nC @ 4.5 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±16V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 17000 pF @ 12 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 2,5W (Ta), 278W (Tc)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 25 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 75A (Ta), 789A (Tc)	Apparaatpakket leverancier PG-WHSON-8-U02
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Verpakking / doos 8-PowerWDFN