N-kanaal 800 V 1,9 A (Tc) 42W (Tc) Through-hole PG-TO251-3
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IPU80R2K8CEBKMA1

Productnummer DigiKey
IPU80R2K8CEBKMA1-ND
Fabrikant
Infineon Technologies
Productnummer fabrikant
IPU80R2K8CEBKMA1
Beschrijving
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 800 V 1,9 A (Tc) 42W (Tc) Through-hole PG-TO251-3
Gegevensblad
 Gegevensblad
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Niet meer gevolgd bij Digi-Key
FET-type
N-kanaal
Technologie
MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)
800 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
1,9 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
2,8Ohm @ 1,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id
3,9V @ 120µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
290 pF @ 100 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
42W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
PG-TO251-3
Verpakking / doos
TO-251-3 korte kabels, IPAK, TO-251AA
Basisproductnummer
IPU80R
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

0 op voorraad
Vanwege tijdelijke beperkte levering kunnen we geen nabestellingen accepteren en is er op dit moment geen levertijd beschikbaar.