Name: IPD80R2K7C3AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND
Price: 2.0328 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IPD80R2K7C3AATMA1
Productnummer DigiKey	448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IPD80R2K7C3AATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IPD80R2K7C3AATMA1
Beschrijving	MOSFET N-CH TO252-3
Standaard levertijd fabrikant	26 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 800 V 2 A (Tc) 42W (Tc) Opbouwmontage
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IPD80R2K7C3AATMA1 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	800 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	2 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	2,7Ohm @ 1,2A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3,9V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	1.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	290 pF @ 100 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	42W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Soort	Automotive
Kwalificatie	AEC-Q101
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	TO-252AA (DPAK)
Verpakking / doos	TO-252-3, DPAK (2 leads + tab), SC-63
Basisproductnummer	IPD80R2