Name: IPD80R1K4CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R1K4CEATMA1TR-ND
Price: 1.9723 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IPD80R1K4CEATMA1
Productnummer DigiKey	IPD80R1K4CEATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) IPD80R1K4CEATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPD80R1K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IPD80R1K4CEATMA1
Beschrijving	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 800 V 3,9 A (Tc) 63W (Tc) Opbouwmontage PG-TO252-3
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IPD80R1K4CEATMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 3,9V @ 240µA
Fabr. Infineon Technologies	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 23 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max.) ±20V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 570 pF @ 100 V
Status onderdeel Niet voor nieuwe ontwerpen	Vermogensdissipatie (max.) 63W (Tc)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 800 V	Apparaatpakket leverancier PG-TO252-3
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 3,9 A (Tc)	Verpakking / doos TO-252-3, DPAK (2 leads + tab), SC-63
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Basisproductnummer IPD80R1
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 1,4Ohm @ 2,3A, 10V