IPD65R950CFDATMA1 is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

Parametrisch equivalent


Infineon Technologies
Op voorraad: 2.094
Eenheidsprijs : 1,51000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : 1,68000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 68
Eenheidsprijs : 1,70000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 1.349
Eenheidsprijs : 3,90000 €
Gegevensblad
N-kanaal 650 V 3,9 A (Tc) 36,7W (Tc) Opbouwmontage PG-TO252-3
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.
N-kanaal 650 V 3,9 A (Tc) 36,7W (Tc) Opbouwmontage PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD65R950CFDATMA1

Productnummer DigiKey
IPD65R950CFDATMA1-ND - Tape & Reel (TR)
Fabrikant
Productnummer fabrikant
IPD65R950CFDATMA1
Beschrijving
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 650 V 3,9 A (Tc) 36,7W (Tc) Opbouwmontage PG-TO252-3
Gegevensblad
 Gegevensblad
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
950mOhm @ 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id
4,5V @ 200µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
14.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
380 pF @ 100 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
36,7W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier
PG-TO252-3
Verpakking / doos
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.