Name: IPD35N10S3L26ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD35N10S3L26ATMA1TR-ND
Price: 2.3111 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IPD35N10S3L26ATMA1
Productnummer DigiKey	IPD35N10S3L26ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPD35N10S3L26ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IPD35N10S3L26ATMA1
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
Standaard levertijd fabrikant	9 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 35 A (Tc) 71W (Tc) Opbouwmontage PG-TO252-3-11
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IPD35N10S3L26ATMA1 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	100 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	35 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	24mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,4V @ 39µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	2700 pF @ 25 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	71W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	Automotive
Kwalificatie	AEC-Q101
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TO252-3-11
Verpakking / doos	TO-252-3, DPAK (2 leads + tab), SC-63
Basisproductnummer	IPD35N10