Name: IPD30N06S223ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD30N06S223ATMA2TR-ND
Price: 1.8271 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IPD30N06S223ATMA2
Productnummer DigiKey	448-IPD30N06S223ATMA2TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IPD30N06S223ATMA2CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IPD30N06S223ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IPD30N06S223ATMA2
Beschrijving	MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Standaard levertijd fabrikant	9 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 55 V 30 A (Tc) 100W (Tc) Opbouwmontage PG-TO252-3-11
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IPD30N06S223ATMA2 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	55 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	30 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	23mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	4V @ 50µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	901 pF @ 25 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	100W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	Automotive
Kwalificatie	AEC-Q101
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TO252-3-11
Verpakking / doos	TO-252-3, DPAK (2 leads + tab), SC-63
Basisproductnummer	IPD30N06