Name: IPC50N04S55R8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND
Price: 1.3189 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IPC50N04S55R8ATMA1
Productnummer DigiKey	IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) IPC50N04S55R8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IPC50N04S55R8ATMA1
Beschrijving	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Standaard levertijd fabrikant	26 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 40 V 50 A (Tc) 42W (Tc) Opbouwmontage PG-TDSON-8-33
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IPC50N04S55R8ATMA1 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	40 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	50 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	5,8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3,4V @ 13µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1090 pF @ 25 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	42W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	Automotive
Kwalificatie	AEC-Q101
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TDSON-8-33
Verpakking / doos	8-PowerTDFN
Basisproductnummer	IPC50N